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PIN-PMN-PT (铌铟酸铅)
产品名称:PIN-PMN-PT (铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅)晶体基片 产品简介:弛豫铁电/压电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(relaxor ferro-/piezoelectric single
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅刻蚀SiC—刻蚀碳化硅 金属刻蚀Al—感应
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PIN-PMN-PT (铌铟酸铅)
产品名称:PIN-PMN-PT (铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅)晶体基片 产品简介:弛豫铁电/压电单晶铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(relaxor ferro-/piezoelectric
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掺镁铌酸锂晶片
美国Crystal Technology公司提供掺MgO铌酸锂晶片(MgO:LN)。 由于没有光折变损伤,具有高纯度与高损伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体能够承受的光强比一般的非掺杂纯铌酸锂晶体高几百
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用硅
铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3—刻蚀钽酸锂刻蚀PZT—刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe—刻蚀硒化铅刻蚀SiC—刻蚀碳化硅化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用有机物
—刻蚀氧化铝—感应耦合等离子体刻蚀蓝宝石GST刻蚀- 锗锑碲化物的ICP刻蚀技术感应耦合等离子体刻蚀Bi2Te3—刻蚀碲化铋反应离子刻蚀ITO—刻蚀铟锡氧化物干法刻蚀LiNbO3—刻蚀铌酸锂干法刻蚀
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牛津仪器Etch刻蚀工艺 应用金属
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Si-PIN探测器
Si-PIN探测器Si-Pin探测器主要应用于台式或手持式XRF设备,提供不同的封装形式,配合自己生产的DPP,可以给客户提供探测端整体方案。 XPIN系列X射线探测器采用厚度为625um的
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牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器
干法刻蚀LiNbO3刻蚀铌酸锂干法刻蚀LiTaO3刻蚀钽酸锂刻蚀PZT刻蚀锆钛酸铅刻蚀PbSe刻蚀硒化铅刻蚀SiC刻蚀碳化硅 金属刻蚀Al感应耦合等离子体刻蚀铝溅射刻蚀Au溅射刻蚀金刻蚀Cr刻蚀铬Cu
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牛津仪器 牛津仪器Etch刻蚀工艺
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